Установка осаждения MR SEMI 200 PECVDS
Применение:
Научно-исследовательские работы и небольшое серийное производство.
Основные технические характеристики
| Стандартная конфигурация | MR SEMI 200 PECVDS |
| Реакционный источник | Силан / TEOS |
| Тип камеры | Загрузка 1 пластины |
| Процессы | PECVD, SACVD |
| Диаметр пластин | 2”, 3”, 4”, 5”, 6”, 8” |
| Платформа | Ручная загрузка |
| Генератор плазмы | 13,56 МГц, 2000 Вт или 350 кГц, 900 Вт |
| Нагрев пластины | Макс. температура 400°С (550°С для SA) |