Установка вакуумного осаждения тонких плёнок MR SEMI 8000/8200 PVD
Особенности и преимущества
Установка вакуумного напыления MR SEMI 8000/8200 PVD предназначена для серийного производства изделий микроэлектроники. Данные установки являются кластерными системами с одним или двумя транспортными модулями, к которым могут быть присоединены от одной до четырёх рабочих камер, устройства кассетной загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, камер выравнивания, плазменной очистки, дегазации и охлаждения. Рабочие модули оборудованы высоковакуумной системой откачки и плазменными генераторами. Возможно исполнение рабочих модулей для применения в процессе осаждения ионно-металлической плазмы (IMP) и включение в состав установки модулей газохимического осаждения (CVD). Система управления включает в себя программное обеспечение собственной разработки Производителя на основе операционной системы Windows, с простым и удобным интерфейсом.
Область применения
Осаждение металлических тонких плёнок в производстве интегральных микросхем, компонентов силовой электроники и других изделий микроэлектроники, на подложках от 4 до 8 дюймов (100-200 мм).
| Тип процесса | Материал плёнки | Применение | Источники |
| PVD | AlCu | Контактные слои | AlCu мишень, Ar |
| TiN | Барьерные и адгезионные слои |
Ti мишень, Ar+N2 |
|
| TiW | Барьерные слои | TiW мишень, Ar | |
| Ti | Барьерные слои/ омические контакты / адгезионные слои | Ti мишень, Ar | |
| W | Омические контакты | W мишень, Ar | |
| Co | Co мишень, Ar | ||
| Ni | Ni мишень, Ar | ||
| CVD | TiN | Барьерные и адгезионные слои |
TDHMAT+N2+H2, He |
| W | Переходные контакты |
WF6+N2+H2, Ar |
Системы магнетронного напыления с кассетной загрузкой пластин
| Модель | MR SEMI 8000PVD | MR SEMI 8200 PVD |
| Конструктивное исполнение | С одним транспортным модулем | С двумя транспортными модулями |
| Тип камеры | Загрузка одной пластины | |
| Процессы | PVD/ W-CVD/ TiN-CVD | PVD/ TiN-CVD |
| Количество вакуумных камер |
Макс. 6 Процессные камеры – 1 — 4 Плазменная очистка – 1 Дегазация — 1 |
Макс. 8 Процессные камеры – 1 — 4 Плазменная очистка –2 Дегазация – 2 |
| Диаметр пластин | 4”, 6”, 8” (100 — 200мм) | |
Типовые параметры процессов
| Процесс | ||||
| Параметр | Низкотемпературное осаждение AlCu, 5KA | Высокотемпературное осаждение AlCu, 5KA | Осаждение Ti, 1 KA | Осаждение Ti, N, 1 KA |
| Энергия, Вт | 11500 | 11500 | 1800 | 6500 |
| Расход газов, ст.куб.см |
Ar — 35 ArH — 15 |
Ar — 35 ArH — 15 |
Ar — 19 |
Ar – 30 N2 — 54 |
| Нагрев, °С | 270±2 | 410±2 | 100 | 25 |
| Давление, мТорр | 5 | 5 | 1,4 | 1,4 |
| Скорость осаждения, Å/мин | 5000±250 | 5000±350 | 1600±50 | >800 |
| Однородность по пластине | <3% (1σ) | |||
| Однородность по партии | <2% (1σ) | <2% (1σ) | <1,5% (1σ) | <2% (1σ) |
